闪存芯片革新时代：SK海力士、美光官宣突破200层管制

财联社8月3日讯（主笔 马兰）7月26日，美国美光科技回应将开始显露货其最先进的NAND硬盘微处理器，也是首家同月同月将NAND微处理器拓展多达200层的大型企业；本周三，韩国的SK海力士也同月共同开发显露一款多达200层的硬盘微处理器。

美光的硬盘微处理器由232层读取单元组成，数据库传输速率将比其上这一代176层的微处理器快速50%，且封装尺寸比前几代的产品还要小28%。该微处理器将主要瞄准人工智能和机器学习等以数据库为中心的领域，满足其低延迟和高旅客量的需求。

韩国SK海力士该公司直到现在也同月，共同开发显露超200层的NAND硬盘微处理器。该款微处理器由238层读取单元组成，比美光的最新微处理器还要多装6层。

据SK海力士称，238层微处理器是其尺寸最小的NAND硬盘微处理器，数据库传输速率和功率比上这一代强化了50%，读取数据库消耗的能量也减低了21%。

SK海力士这款最新微处理器将在2023年第二季度开始量产车；而美光则回应将于2022年底开始量产车232层NAND。

螺旋式越高得越

NAND硬盘大部分应用与所有主要的电子终端中，智能手机、电脑、USB闪存等都有它的存在。硬盘受不受市场欢迎的两个举足轻重因素，一是运输成本，二就是读取密度。

而自2013年华为外观设计显露垂直堆单元新科技后，微处理器的螺旋式比拼一直是亦同NAND硬盘微处理器厂商公平竞争的课题。

与CPU和GPU仍在公平竞争增大电子元件密度、用更加繁复的新科技大幅强化微处理器效率多种不同，在NAND市场，现今，一切都是大幅强化读取密度，减低螺旋式就是关键性。因此，NAND硬盘从刚开始的24层一路上升，其发展到那时候的200多层。

不过也有领域专家回应，在硬盘微处理器领域，各个一些该公司都有各自的新科技架构和转变路线图，并不完全一致，各家都有各家的新科技传统工艺特色。在低一般来说的时候，3D堆或许能够总体强化硬盘的效率，但是随着螺旋式的减低，效率强化也但会遭遇瓶颈，需要在新科技、运输成本和效率之间找显露一个平衡。总体而言，螺旋式的遥遥领先并无法象征性硬盘新科技上的绝对遥遥领先，还是综合运输成本和效率来看。

美光232层NAND使用了与华为第七代硬盘相似的“双堆栈”新科技。将232层可分两部分，每部分116层，从一个深窄的孔开始堆。通过导体和绝缘体的更替层蚀刻，用材质填充孔，并成品成型比特读取部分，从而装配显露成品微处理器。

而蚀刻和填充横越所有堆层的孔，就成为了NAND硬盘螺旋式减低的新科技关卡。

200层的野心

现今，大多数的硬盘微处理器仍在投入生产100+螺旋式的微处理器，但众多投入生产大型企业对200层的投入生产传统工艺都是跃跃欲试。

早在2019年，SK海力士就毫无疑问过直白假设，在2025年发行500层堆的产品，并在2032年实现800层以上。

当年稍早，美国西部数据库与伙伴日本铠侠称，将便速发行多达200层的BiCS+线程微处理器，预定在2024年同月诞生。

加入螺旋式公平竞争的华为电子也被曝将在当年底发行200层以上的第八代NAND硬盘，大众猜测可达224层，传输速率和投入生产效率将强化30%。

中国硬盘后起之秀——长江上游读取，据舆论称也但会在当年从128层突破到232层，在年底实现量产车。但长江上游读取并未对此回应。

那时候全球的硬盘格局，华为电子虽是新科技的奠基者并在过去一直领导市场其发展，但在200层以上的公平竞争上，略为落后于美光与SK海力士。这两家该公司入局虽晚，但新科技转变势头很；大，在新科技上可能保持遥遥领先优势。

而下一代，据北美有名半导体分析部门IMEC并不认为，1000层的NAND硬盘也不是很远，或在10在短期内就但会显露现。螺旋式之争依旧是NAND硬盘的主旋律，就看能否有人弯道转弯了。

责任主笔：于健 SF069

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